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ENJ2005-B半導體分立器件測試系統
系統概述：
設備擴展性強，通過選件可以提高電流和測試范圍。支持電流階梯升級至1250A。采用脈沖測試法，脈沖寬度為美軍標規定的300uS。在PC窗口提示下輸 入被測器件的測試條件點擊即可完成測試任務。被測器件引腳接觸自動判斷功能。系統采用帶有開爾文感應結構的測試工裝，自動補償由于系統內部及測試電 纜長度引起的壓降，保證測試結果準確可靠。 面板顯示裝置可及時顯示系統的各種工作狀態和測試結果,前面板的功能按鍵方便了系統操作。通過功能按鍵，系統可以脫離主控計算機獨立完成多種工 作。系統提供與機械手、探針臺、電腦的連接口，可以支持各種不同輔助設備的連接使用。
ENJ2005-B半導體分立器件測試系統測試參數：
漏電參數：IR、ICBO、LCEO/S/X、IDSS/X、IDOFF、IDRM、IRRM、ICOFF、IDGO、ICES、IGESF、IGESR、IEBO、IGSSF、IGSSR、IGSS、IGKO、IR(OPTO)
擊穿參數：BVCEO BVCES(300μS Pulse above 10mA)BVDSS、VD、BVCBO、VDRM、VRRM、VBB、BVR 、VD+、VD-、BVDGO、BVZ、BVEBO、BVGSS、BVGKO
增益參數：hFE、CTR、gFS、
導通參數：VCESAT、VBESAT、VBEON、VF、VT、VT+、VT-、VON、VDSON、VDON、VGSON、VF(Opto-Diode)VGSTH、VGETH、VTM、VSD、IDON、VSAT、IDON、Notch = IGT1，IGT4、ICON、VGEON、VO(Regulator)、IIN(Regulator)
混合參數：rDSON、gFS、Input Regulation、Output Regulation
關斷參數：VGSOFF
觸發參數：IGT、VGT
保持參數：IH、IH+、IH-
鎖定參數：IL、IL+、IL-
基礎配置：
技術參數 | ENJ2005-B型 |
主極電流 | 100nA-50A |
擴展電流 | 100A、500A、1000A、1200A |
電壓分辨率 | 1mV |
電流分辨率 | 1nA(可擴展至10pA) |
測試精度 | 0.2%+2LSB |
測試速度 | 0.5mS/參數 |
測試范圍：
測試范圍：
01 | 二極管 / DIODE |
02 | 晶體管 / NPN型/PNP型 |
03 | J型場效應管 / J-FET |
04 | MOS場效應管 / MOS-FET |
05 | 雙向可控硅 / TRIAC |
06 | 可控硅 / SCR |
07 | 絕緣柵雙極大功率晶體管 / IGBT |
08 | 硅觸發可控硅 / STS |
09 | 達林頓陣列 / DARLINTON |
10 | 光電耦合 / OPTO-COUPLER |
11 | 繼電器 / RELAY |
12 | 穩壓、齊納二極管 / ZENER |
13 | 三端穩壓器 / REGULATOR |
14 | 光電開關 / OPTO-SWITCH |
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